Ⅰ型電容器陶瓷，它的介電常數(shù)一般小于100，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變而變化，屬超穩(wěn)定、低損耗的電容器介質(zhì)材料，常用于對(duì)穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的場(chǎng)合。Ⅱ型電容器陶瓷，它的介電常數(shù)一般大于1000，電氣性能較穩(wěn)定，適用于隔直、耦合、旁路和潔、波電路及對(duì)可靠性要求較高的中、低頻場(chǎng)合。
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
瓷介電容器常用的陶瓷介質(zhì)材料有以下三類：
?、裥碗娙萜魈沾桑核慕殡姵?shù)一般小于100，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變而變化，屬超穩(wěn)定、低損耗的電容器介質(zhì)材料，常用于對(duì)穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的場(chǎng)合。
Ⅱ型電容器陶瓷：它的介電常數(shù)一般大于1000，電氣性能較穩(wěn)定，適用于隔直、耦合、旁路和潔、波電路及對(duì)可靠性要求較高的中、低頻場(chǎng)合。因型電容器陶盟：它具有很高的介電常數(shù)，廣泛應(yīng)用于對(duì)容量穩(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合。
以鐵酸頓為主的陶瓷材料為介質(zhì)的電容器被稱為獨(dú)石瓷介電容器，它由多層片狀陶瓷膜疊起來燒結(jié)而成。由于它的每片陶盜膜很薄，因此具有容量大、體積小的特點(diǎn)。
瓷介電容器具有以下特點(diǎn)：
1、由于電容器的介質(zhì)材料為陶哇，所以耐熱性能良好，不容易老化。
2、瓷介電容器能耐酸堿及鹽類的腐蝕，抗腐蝕性好。
3、低頻陶瓷材料的介電常數(shù)大，因而低頻瓷介電容器的體積小、容量大。
