磁珠材料為FE-Mg或FE-Ni合金。這些材料具有很高的電阻率和滲透率。在高頻高阻抗下，電感線圈間的電容會(huì)減小。事實(shí)上，磁珠可以看作是一個(gè)電阻并聯(lián)電感。在低頻時(shí)，電阻被電感器“短路”，電流流向電感器；在高頻時(shí)，電感器的高電感迫使電流流向電阻器。對(duì)于電感器來說，其感應(yīng)電抗與頻率成正比。例如，對(duì)于一個(gè)理想的10MH電感器，10kHz時(shí)的感應(yīng)電抗為628Ω； 在100MHz時(shí)，它增加到6.2mΩ。在100MHz時(shí)，如果信號(hào)通過電感器，信號(hào)的質(zhì)量就會(huì)降低。
磁珠材料為FE-Mg或FE-Ni合金。這些材料具有很高的電阻率和滲透率。在高頻高阻抗下，電感線圈間的電容會(huì)減小。磁珠通常只適用于高頻電路，因?yàn)樵诘皖l時(shí)，磁珠基本上保留了電感的完整特性（包括電阻和無功分量），所以會(huì)對(duì)電路造成一些微小的損耗。但在高頻時(shí)，只有電抗分量（J）ω 50）電阻分量隨頻率的增加而增大。例如，一些射頻電路、鎖相環(huán)、振蕩電路，包括超高頻存儲(chǔ)器電路（DDR、SDRAM、Rambus等），需要在功率輸入部分添加磁珠。事實(shí)上，磁珠是射頻能量的高頻衰減器。事實(shí)上，磁珠可以看作是一個(gè)電阻并聯(lián)電感。在低頻時(shí)，電阻被電感器“短路”，電流流向電感器；在高頻時(shí)，電感器的高電感迫使電流流向電阻器。磁珠本質(zhì)上是能將高頻能量轉(zhuǎn)化為熱能的“耗散裝置”。因此，就性能而言，只能解釋為電阻而不是電感，電感是儲(chǔ)能元件，主要用于電力濾波電路、LC振蕩電路、中低頻濾波電路等，其應(yīng)用頻率范圍很少超過50MHz。對(duì)于電感器來說，其感應(yīng)電抗與頻率成正比。這可以用公式來解釋：XL=2π FL，其中XL是感應(yīng)電抗（單位為Ω）。 例如，對(duì)于一個(gè)理想的10MH電感器，10kHz時(shí)的感應(yīng)電抗為628Ω； 在100MHz時(shí)，它增加到6.2mΩ。 因此，在100MHz時(shí)，電感器可視為開路。在100MHz時(shí)，如果信號(hào)通過電感器，信號(hào)的質(zhì)量就會(huì)降低。
