本文主要介紹了導(dǎo)致安規(guī)電容炸裂的原因，本文字?jǐn)?shù)490字，閱讀全文需5分鐘。
導(dǎo)致安規(guī)電容炸裂的原因：
1）由于制造質(zhì)量差等原因，安規(guī)電容的內(nèi)部元件擊穿。
2）由于套管密封不良而進(jìn)入潮氣，降低了絕緣電阻；由于滲、漏油、油面下降，從而導(dǎo)致對外殼放電或元件擊穿。
3）內(nèi)部游離和鼓肚。當(dāng)安規(guī)電容內(nèi)部產(chǎn)生電暈、擊穿放電和嚴(yán)重游離時，安規(guī)電容在過電壓作用下，會產(chǎn)生一系列物理、化學(xué)、電氣效應(yīng)，加速絕緣老化、分解而產(chǎn)生氣體，形成惡性循環(huán)，以致箱殼壓力變大，造成箱壁外鼓進(jìn)而導(dǎo)致炸裂。
4）絕緣損壞，尤其是高壓側(cè)引出線制造工藝不良、邊緣不平、有毛刺或嚴(yán)重變折時，電容頂部容易產(chǎn)生電暈，電暈使油分解、箱殼膨脹、油面下降而造成元件擊穿。此外，在封蓋時如果轉(zhuǎn)角處燒焊時間過長，破壞了內(nèi)部絕緣，降低了擊穿電壓，也易導(dǎo)致安規(guī)電容損壞，進(jìn)而引起炸裂事故。
5）當(dāng)進(jìn)行帶電合閘時，在合閘的瞬間，電壓極性可能與安規(guī)電容殘留電荷的極性相反，因而引起炸裂。
6）通風(fēng)不良、溫升過高、嚴(yán)重過電壓和電壓諧波分量大，也會引起炸裂。
文章來源：深圳新晨陽電子
