高頻低阻電解電容正負極如何區(qū)分？

高頻低阻電解電容形成于陽極內側表面極薄的一層氧化鋁在電解電容中扮演電介質的角色。它具有優(yōu)越的介電常數(shù) e 及單向特性（ rectifying properties ）當與電解液接觸后，這層氧化膜就具有優(yōu)良的單方向絕緣特性（ forward direction insulation property ）。電介質這一特性決定了一般電解電容的單向極性應用。如果陰 / 陽都有此般同樣的氧化薄膜，那么其就成為無極性行電解電容。在工藝上，這一層是在一片高純度的蝕刻鋁箔上進行極化處理而得。陽極箔片進行極性化的這一過程需要施加一定的 DC 電壓進行，這一電壓被稱為“化成電壓”（ Forming Voltage” ）。這個電介質層的厚度近乎正比于極化過程所施加的“化成電壓”，大約有 0.0013~0.0015 (mm)/ V 的關系。氧化鋁形成的化學表達式： 2Al+3H2O à Al2O3+3H2 (Gas) +3e- (Electron) 。電介質層同時構成了一個依電壓變化而變化的電阻，經(jīng)過此電阻的電流即所謂的漏電流。當電壓到達“化成電壓”后，漏電流急劇上升以至損壞電容器。此具有單向特性電介質無法承受反向的電壓 ( 大于 1.5V dc) ，很小的反向電壓就會形成很大的反向電流以損壞電容器。