晶粒發(fā)育充分BaTiO在三半導體陶瓷表面涂上適當?shù)慕饘傺趸铮谶m當?shù)臏囟认?,在氧化條件下進行熱處理,涂層氧化物與BaTiO3形成低共溶液相,沿開口氣孔和晶界迅速擴散到陶瓷內(nèi)部,在晶界上形成薄薄的固溶體絕緣層。這種薄固溶體絕緣層的電阻率很高,雖然陶瓷晶粒仍然是半導體,但整個陶瓷體的顯介電常數(shù)高達2×104到8×104絕緣介質(zhì)。用這種瓷器制成的電容器稱為晶界層陶瓷電容器,簡稱BL電容器。
晶粒發(fā)育充分BaTiO在三半導體陶瓷表面涂上適當?shù)慕饘傺趸?如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等),在適當?shù)臏囟认?,在氧化條件下進行熱處理,涂層氧化物與BaTiO3形成低共溶液相,沿開口氣孔和晶界迅速擴散到陶瓷內(nèi)部,在晶界上形成薄薄的固溶體絕緣層。這種薄固溶體絕緣層的電阻率很高(可達1012~1013Ω·cm),雖然陶瓷晶粒仍然是半導體,但整個陶瓷體的顯介電常數(shù)高達2×104到8×104絕緣介質(zhì)。用這種瓷器制成的電容器稱為晶界層陶瓷電容器,簡稱BL電容器。
高壓陶瓷電容器的瓷材主要有鈦酸鋇基和鈦酸鍶基。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓性好的優(yōu)點,但也存在介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻降低等缺點。鈦酸鍶晶體的內(nèi)部溫度為-250℃,立方晶鈣鈦礦結構在室溫下為順電體,無自發(fā)極化現(xiàn)象,鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化較小,tgδ而且電容變化率小,使其作為高壓電容介質(zhì)非常有利。
多層陶瓷電容器是片式元件中應用最廣泛的一種。它將內(nèi)電極材料與陶瓷坯交替疊加,燒成一個整體,又稱片式獨石電容器,具有尺寸小、容量高、精度高的特點,可安裝在印刷電路板上(PCB)、混合集成電路(HIC)電子信息終端產(chǎn)品(尤其是便攜式產(chǎn)品)的體積和重量有效降低,產(chǎn)品可靠性提高。符合要求IT工業(yè)小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向,在2010年國家愿景目標綱要中明確提出,電子工業(yè)發(fā)展的重點是表面安裝部件等新部件。它不僅包裝簡單,密封良好,而且能有效地隔離異性電極。MLCC存儲電荷、阻斷直流、濾波、災難、區(qū)分不同頻率、調(diào)節(jié)電路。有機薄膜電容器和電解電容器可部分取代高頻開關電源、計算機網(wǎng)絡電源和移動通信設備,大大提高了高頻開關電源的濾波性能和抗干擾性能。