無論是插件技術(shù)還是芯片安裝技術(shù),電容器本身都與PCB垂直。SMT的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在生產(chǎn)上,自動化程度高,精度高。在運輸過程中不像插入式那樣容易損壞。在性能方面,串聯(lián)電容器對頻率的適應性較差,但當頻率小于500MHz時,很難顯示出差別,如何在外觀上區(qū)分片式電容器和片式電阻?片式電容器表面沒有印刷,這與它的制造工藝有關(guān)。
無論是插件技術(shù)還是芯片安裝技術(shù),電容器本身都與PCB垂直。最根本的區(qū)別是芯片安裝設備的電容器有一個黑色的橡膠底座。SMT的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在生產(chǎn)上,自動化程度高,精度高。在運輸過程中不像插入式那樣容易損壞。然而,芯片放置裝置需要波峰焊工藝,高溫后會影響電容器的性能,特別是陰極采用電解液時,電解液會在高溫后變干。插件工藝的器件趣味性較低,在同樣的趣味性下電容器本身的性能可以更好
在性能方面,串聯(lián)電容器對頻率的適應性較差,但當頻率小于500MHz時,很難顯示出差別,如何在外觀上區(qū)分片式電容器和片式電阻?片式電容器表面沒有印刷,這與它的制造工藝有關(guān)(片式電容器是高溫燒結(jié)而成,因此無法在表面印刷)。片式電阻器采用絲網(wǎng)印刷(可印刷商標)。詳細工藝流程請來電或來函
片式電容器,全稱:多層(疊層、疊層)片式陶瓷電容器,又稱片式電容器,英文縮寫:MLCC,容量范圍:0.5pf100uf,其中,一般認為容量超過1uF的是大容量電容器。額定電壓:從4v4kvdc起,當額定電壓為100V及以上時,分為中高壓產(chǎn)品
片式電容器的穩(wěn)定性和容量精度與介質(zhì)數(shù)據(jù)有關(guān),可分為三類:
以cog/NPO為Ⅰ類介質(zhì)的高頻電容器的溫度系數(shù)為0± 30ppm/℃, 電容非常穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓和時間變化,主要用于高頻電子電路,如振蕩、定時電路等;其容量精度主要如下± 5%,當容量小于10PF時,可選擇b檔(± 0.1pfc(± 0.25 PFD(± 5便士。